8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議書。

該項目總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計、晶圓制造、封裝等。

長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，擁有國內(nèi)一流的產(chǎn)線設(shè)備和先進(jìn)的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設(shè)計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。

當(dāng)前，東湖高新區(qū)重點布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，九峰山科技園將構(gòu)建設(shè)備、材料、設(shè)計、芯片、器件、模塊、制造、封裝、檢測的全產(chǎn)業(yè)鏈體系，聚力打造世界級化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。

作為全國四大集成電路產(chǎn)業(yè)基地之一，目前光谷已聚集一批集成電路產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，形成了存儲芯片、化合物半導(dǎo)體芯片為兩大產(chǎn)業(yè)方向，涵蓋設(shè)計、制造、裝備、材料及分銷、模組等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)集群。