?近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、CASA人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織籌辦。

期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，西安電子科技大學 微電子學院副教授孫汝軍帶來了”氧化鎵的電子態缺陷研究”的主題報告，寬帶隙和超寬帶隙半導體的二極管和晶體管可以在關斷狀態下在小距離上保持大電壓，而能摻雜材料的能力降低了導通狀態下的電阻率。具有4.8 eV帶隙的單斜晶系β-Ga2O3能制備出大尺寸單晶形式，是高壓電力電子器件有前途的候選者。報告指出實現 β-Ga2O3應用的關鍵是了解和控制點缺陷和摻雜，并分享了雜質缺陷對載流子的影響以及界面處缺陷的研究發現和成果。其中研究發現晶體各向異性、共振能級轉移和聲子輔助隧穿改變了這些載流子與缺陷相互作用。

CASICON 系列活動簡介

?“先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>