?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：由山東大學(xué)牽頭制定，遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見、委員會(huì)草案投票等流程，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》、T/CASAS 026—2023《碳化硅少數(shù)載流子壽命測定 微波光電導(dǎo)衰減法》、T/CASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》于2023年6月19日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。
?
?
T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》規(guī)定了8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸，適用于碳化硅切割片、研磨片和拋光片。
【本文件主要起草單位】
山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、紹興中芯集成電路制造股份有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
【本文件主要起草人】
?
崔瀠心、楊祥龍、陳秀芳、徐現(xiàn)剛、來玲玲、于國建、馮淦、丁雄杰、潘國衛(wèi)、秋琪、徐瑞鵬。
?
T/CASAS 026—2023《碳化硅少數(shù)載流子壽命測定 微波光電導(dǎo)衰減法》描述了用微波光電導(dǎo)法測定碳化硅少數(shù)載流子壽命的方法，適用于少數(shù)載流子壽命為20 ns～200 μs的碳化硅晶片的壽命測定及質(zhì)量評(píng)價(jià)。
【本文件主要起草單位】
山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
【本文件主要起草人】
楊祥龍、崔瀠心、彭燕、徐現(xiàn)剛、來玲玲、于國建、馮淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、趙海明、鈕應(yīng)喜、金向軍、徐瑞鵬。
T/CASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》描述了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞等元素含量的測定，測定范圍為108 cm-2～1012 cm-2。適用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等無圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測定。
【本文件起草單位】
山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
【本文件主要起草人】
崔瀠心、陳秀芳、謝雪健、楊祥龍、徐現(xiàn)剛、來玲玲、于國建、馮淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、趙海明、鈕應(yīng)喜、金向軍、徐瑞鵬。
請(qǐng)登錄第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟官網(wǎng)查看已發(fā)布及制定中的標(biāo)準(zhǔn)。
【山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院】
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院是教育部首批支持的戰(zhàn)略科技創(chuàng)新平臺(tái)，依托山東大學(xué)開展建設(shè)。研究院充分發(fā)揮學(xué)校在半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的已有優(yōu)勢(shì)，通過整合校內(nèi)微電子、物理、化學(xué)、材料、機(jī)械、控制、信息等優(yōu)勢(shì)學(xué)科力量，瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體材料技術(shù)未來發(fā)展方向，面向能源、信息、國防、軌道交通等領(lǐng)域的重大需求，重點(diǎn)開展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵、金剛石、氮化鋁等新一代寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體單晶材料及器件研究工作，旨在突破關(guān)鍵核心技術(shù)，支撐核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)我國新一代半導(dǎo)體、集成電路、信息技術(shù)的快速發(fā)展，滿足國防安全和經(jīng)濟(jì)建設(shè)的重大需求。
（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）