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標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環試驗方法立項

發表于:2025-04-21 來源:半導體產業網 編輯:

?2025年4月15日,按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會(CASAS)相關管理辦法,經CASAS管理委員會投票通過由忱芯科技(上海)有限公司牽頭提出的《SiC MOSFET功率模塊有功對拖測試方法》、《SiC MOSFET器件寄生雜感與動態測試回路雜感測試方法》、《SiC MOSFET器件交流-濕度-溫度循環試驗方法》3項SiC MOSFET方面的團體標準立項建議,詳細信息如下:

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秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知,組建標準起草小組,請CASAS正式成員關注秘書處郵件(casas@casa-china.cn)。

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忱芯科技(上海)有限公司

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忱芯科技(UniSiC)是功率半導體自動化測試系統解決方案創新領導者,產品可覆蓋SiC、GaN以及Si基功率半導體器件各測試環節,為功率半導體IDM企業、新能源車廠及Tier1、功率器件設計與封裝企業提供精準、可靠、高性價比的測試解決方案。?

忱芯科技的SiC功率半導體測試系統產品包括:晶圓級動態WLR測試系統、芯片級KGD測試系統、雙極退化測試系統、動態測試系統、靜態測試系統、動態可靠性測試系統、連續功率測試系統等,全面覆蓋功率半導體晶圓級測試、芯片級測試、單管/模塊級測試和系統級測試,可滿足實驗室與生產線的多種場景需求。?

忱芯科技已完成了從研發,測試到集成、銷售的完整產業鏈覆蓋,成功覆蓋了從IDM、封測企業、新能源汽車產業鏈,高端醫療等領域的多家行業內標桿性頭部企業:同時,忱芯科技與國內眾多知名高校和第三代半導體研發平臺也已展開了實質性的商務合作。

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