3月10日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡稱“新微半導(dǎo)體”）正式推出650V硅基氮化鎵增強(qiáng)型（E-mode）功率工藝代工平臺(tái)。該平臺(tái)憑借高頻運(yùn)行效率、超低柵極電荷及低導(dǎo)通電阻等卓越特性，為新一代高速、高效功率器件應(yīng)用提供了優(yōu)異的解決方案。基于該工藝平臺(tái)代工的產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心及新能源汽車等領(lǐng)域，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場潛力。 

該工藝平臺(tái)采用P帽層?xùn)艠O和基于化學(xué)機(jī)械平坦化的鎢栓/鋁集成電路互聯(lián)工藝，實(shí)現(xiàn)了氮化鎵形貌的精準(zhǔn)控制與低表面態(tài)。HTRB/HTGB/DHTOL等關(guān)鍵可靠性指標(biāo)符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，確保了該平臺(tái)制造的器件能夠長期穩(wěn)定運(yùn)行。 

此外，通過該平臺(tái)制造的器件性能極具競爭力：低比導(dǎo)通電阻（Rsp）約為350mΩ·mm²，優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（Ron·Qg）~300mΩ·nC,實(shí)現(xiàn)了低開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的雙重突破，為客戶帶來了顯著的成本效益和性能提升。

新微半導(dǎo)體是一家化合物半導(dǎo)體的代工企業(yè)，為客戶提供前期設(shè)計(jì)支持服務(wù)，確保產(chǎn)品性能與可靠性達(dá)到要求。目前，基于該平臺(tái)制造的樣片性能參數(shù)已達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，并通過多家客戶的嚴(yán)苛測試，有效加速客戶產(chǎn)品的商業(yè)化進(jìn)程。

未來，新微半導(dǎo)體將進(jìn)一步加大研發(fā)投入，提供更具成本效益和高效能的解決方案，進(jìn)一步提升產(chǎn)品可靠性，滿足市場對(duì)更快、更輕和更具能源效率電子產(chǎn)品的需求。