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英諾賽科上市!港股“第三代半導體”第一股!

發表于:2024-12-30 來源:半導體產業網 編輯:

?今天上午9時30分

隨著鐘聲敲響

從吳江走出的

全球氮化鎵龍頭——

英諾賽科

成功登陸港交所

成為港股“第三代半導體”

第一股

8

12月30日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司正式在港交所主板掛牌上市,股票代碼“02577”。

英諾賽科此次IPO每股定價30.86港元,共發行4536.4萬股股份,每手100股,所得款項凈額約13.02億港元。

截至發稿,上市首日現報31.85港元,上漲3.21%,換手率0.43%,成交量209.73萬股,成交額6669萬港元,總市值約280.01億港元。

英諾賽科董事長駱薇薇博士表示,“英諾賽科是全球功率半導體革命的領導者,也是全球最大的氮化鎵芯片制造企業。此次在香港交易所的上市,是公司發展歷程中的一個重要里程碑,標志著我們將以更廣闊的視野和更堅定的步伐,邁向全球市場。英諾賽科相信GaN可以改變世界,打造更加綠色的地球家園。作為全球氮化鎵行業的領軍企業,我們將持續專注技術創新,賦能全球客戶體驗高頻、高效、綠色節能的氮化鎵產品。”

氮化鎵是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料,已成為功率半導體行業持續變革的核心,而且即將加速市場滲透。第三方機構統計預測,2023年,氮化鎵功率半導體占全球功率半導體市場的0.5%,并預期于2028年占市場的10.1%。憑借持續創新及強大的技術專業知識,英諾賽科設計、開發及生產若干類型的氮化鎵產品,包括分立器件、集成電路、晶圓及模塊。英諾賽科的產品廣泛用于多種行業的電源應用中,例如消費電子產品的快速充電器和適配器、可再生能源的電池管理系統及工業應用、汽車電子的LiDAR系統及數據中心的電源裝置。

英諾賽科已采用集成器件制造商的IDM模式,藉此可自行把控由制成品設計、制造、包裝、測試到銷售的整個流程。截至2024年6月30日,英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地,產能達到每月12,500片晶圓。該能力使英諾賽科能夠以穩定的供應抓住不斷增長的市場機會,從而培養客戶的信心。與6英吋硅基氮化鎵晶圓相比,英諾賽科先進的量產技術亦使每晶圓的晶粒產出數提升80%,單顆芯片成本降低30%,體現英諾賽科在氮化鎵產品持續創新及商業化方面的成本優勢和領導地位。根據弗若斯特沙利文的資料,按收入計公司于2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中收入排名第一。

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