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牛津儀器邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

發表于:2024-11-13 來源:半導體產業網 編輯:

頭圖

?2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進半導體技術應用創新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

牛津儀器將攜多款產品亮相此次展會。值此,誠摯邀請第三代半導體產業同仁共聚論壇,蒞臨A22號展位參觀交流、洽談合作。

?牛津儀器

公司簡介

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牛津儀器1959年創建于英國牛津,是英國倫敦證交所的上市公司,為工業和科研客戶提供分析設備、半導體設備、超導磁體、超低溫設備等高科技解決方案及相關服務和支持。目前牛津儀器現已成為科學儀器領域的跨國集團公司,生產基地、銷售服務網絡和客戶遍及一百多個國家和地區。

牛津儀器始終關注和支持著中國的發展,其產品于40年前就進入了中國市場,目前在上海設有銷售、研發和全國售后服務中心 ,在北京、廣州設有辦事處,旨在為廣大中國用戶提供及時、有效的服務。?

產品介紹

SiC等離子體拋光

牛津儀器Plasma Polish(等離子體拋光)是一種具有高性價比、可擴展性且經過驗證的干法蝕刻技術,可替代CMP(化學機械拋光)進行制備用于外延生長的SiC基底。該技術能夠獨特地消除亞表面損傷,從而實現高性能和高產量的功率器件。整個過程在低壓環境下進行,專有的化學和功率平衡被精確地傳遞至晶圓表面。非接觸式等離子體反應通過離子和自由基的物理轟擊以及化學結合的方式,逐步去除受損的碳化硅表面和亞表面。保留下的材料無損、質量優異,有效防止了因之前研磨步驟導致的亞表面問題在外延過程中產生的影響。?

SiC Trench刻蝕

牛津儀器PlasmaPro 100系列等離子體刻蝕機以其高速、高密度的特點在SiC trench刻蝕領域取得了突破性的進展,實現SiC trench 刻蝕側壁光滑度、圓滑度、無微溝槽的形貌,大大提高了器件的耐壓性能,設備經過了嚴格的考驗,因充分的等離子濃度,氦氣冷卻系統和精確均勻的電極溫度控制確保了工藝的穩定性和重復性,cluster單元配置的靈活性可實現同時配備不同腔體配置,滿足真空狀態下同時完成掩膜刻蝕以及Trench刻蝕,滿足量產需要

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