天眼查顯示，華潤微電子(重慶)有限公司“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請公布號為CN118693137A。

本發(fā)明提供一種LIGBT器件及其制備方法，該LIGBT器件包括半導體結(jié)構(gòu)、發(fā)射極結(jié)構(gòu)、集電極結(jié)構(gòu)、柵結(jié)構(gòu)、浮空接觸區(qū)、隔離層及二極管結(jié)構(gòu)，其中，半導體結(jié)構(gòu)包括依次層疊的襯底、介電層及外延層；發(fā)射極結(jié)構(gòu)包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)及發(fā)射極接觸區(qū)；集電極結(jié)構(gòu)包括緩沖區(qū)及集電區(qū)，緩沖區(qū)與基區(qū)之外的外延層作為漂移區(qū)；柵結(jié)構(gòu)位于基區(qū)的上表面；浮空接觸區(qū)位于外延層的上表層，浮空接觸區(qū)與集電區(qū)間隔預設距離；隔離層位于集電區(qū)與浮空接觸區(qū)之間的外延層的上表面；二極管結(jié)構(gòu)包括位于隔離層上表面且相互鄰接的陰極接觸區(qū)及陽極接觸區(qū)。本發(fā)明通過浮空接觸區(qū)及二極管結(jié)構(gòu)的設置，消除了集電極電壓折回現(xiàn)象，降低了器件的關斷損耗與關斷時間。