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中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項(xiàng)目是2023年山西省重點(diǎn)工程項(xiàng)目，是山西爍科晶體有限公司瞄準(zhǔn)“成為國(guó)內(nèi)卓越、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商”這一目標(biāo)打造的一張關(guān)鍵“拼圖”。

近日，中國(guó)科學(xué)院黨組公布了2023年中國(guó)科學(xué)院年度人物和年度團(tuán)隊(duì)名單，共有8個(gè)個(gè)人和團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng)。其中物理所陳小龍研究員獲得年度

自8月首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線以來(lái)，九峰山實(shí)驗(yàn)室持續(xù)攻克碳化硅工藝技術(shù)難關(guān)。近日，實(shí)驗(yàn)室在碳化硅超結(jié)領(lǐng)域取得新進(jìn)展：

陽(yáng)光電源高級(jí)工程師，中央研究院光儲(chǔ)中小功率業(yè)務(wù)主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用和挑戰(zhàn)“的主題報(bào)告，分享了SiC器件在新能源行業(yè)應(yīng)用的機(jī)遇、挑戰(zhàn)，以及SiC器件在陽(yáng)光電源應(yīng)用的實(shí)踐等內(nèi)容。

“全國(guó)產(chǎn)化碳化硅功率模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能變流器與控制關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”成果順利通過(guò)中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)組織的科技成果鑒定并正式發(fā)布。

天岳先進(jìn)12月11日發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，公司于2023年12月8日接受40家機(jī)構(gòu)調(diào)研，機(jī)構(gòu)類型為QFII、保險(xiǎn)公司、其他、基金公司

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有諸多優(yōu)勢(shì)，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機(jī)節(jié)

期待已久的小米汽車終于來(lái)了，在最新一期工信部的申報(bào)信息中，我們看到了小米汽車首款車型的申報(bào)信息，從申報(bào)圖來(lái)看，新車設(shè)計(jì)風(fēng)

11月9日消息，技術(shù)密集型的華為又帶來(lái)了全新的震撼新品，全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái)。其首發(fā)了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高

隨著5G、碳中和、AI時(shí)代的來(lái)臨，芯片市場(chǎng)需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

日前，半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)特思迪完成B輪融資，本輪由臨芯投資領(lǐng)投，北京市高精尖基金、尚頎資本、中金啟辰、優(yōu)山資本、芯微投資

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄 共同推動(dòng)香港微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展10月13日 - 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

9月20日，在山西綜改示范區(qū)中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)，施工車輛往來(lái)穿梭，挖掘機(jī)、樁機(jī)、鏟車等

9月6-8日，三安半導(dǎo)體攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行業(yè)關(guān)注，展示公司在第三代半導(dǎo)體研發(fā)和商業(yè)化進(jìn)程

走進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈主企業(yè)山西爍科晶體有限公司小晶片釋放大能量一排排3米多高的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備整齊排列，設(shè)備內(nèi)部超

今年第二季度，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）正式發(fā)布了碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》（Spec

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料正迎來(lái)廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機(jī)會(huì)和關(guān)注焦點(diǎn)。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展