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碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐，聚焦前沿趨勢，敬請期待！

晶盛機電（300316）11月4日發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表，公司于2024年11月1日接受3家機構(gòu)調(diào)研，機構(gòu)類型為其他、海外機構(gòu)。 投資者

“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會”日程出爐，敬請關(guān)注！

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海漢虹精密機械有限公司申請一項名為一種單晶爐碳化硅爐專用的KF40電動蝶閥的專利，公開號 CN 118881

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，山東粵海金半導(dǎo)體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權(quán)公告號CN 2218

PVT單晶生長設(shè)備、HVPE單晶生長設(shè)備、碳化硅高溫氧化設(shè)備11年，11款產(chǎn)品。經(jīng)過10多年的發(fā)展，山東力冠微電子裝備有限公司已成為

晶馳機電生產(chǎn)基地項目總投資2億元晶馳機電是浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院孵化企業(yè)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340

晶盛機電在回答投資者提問時表示，是一家國內(nèi)領(lǐng)先的專注于先進材料、先進裝備的高新技術(shù)企業(yè)。在先進裝備領(lǐng)域，公司光伏裝備取得

張北縣年產(chǎn)8億件高端碳化硅半導(dǎo)體研發(fā)基地項目建設(shè)“不打烊”。

PowerAmerica執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis將出席論壇并做大會報告，分享“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程”，并將在專題技術(shù)分會上，繼續(xù)分享“在硅晶圓廠中制造SiC”的研究成果。

中電四公司成功中標(biāo)北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目（1#生產(chǎn)廠房等12項）”，中標(biāo)金額：1159022898.60元。

天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法，公開號 CN2

9月5日，中國電科在官微透露，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再次獲得突破。據(jù)悉，此次全新升級的8英寸碳化

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。

導(dǎo)體項目、安力科技第三代半導(dǎo)體及大硅片襯底研磨液項目、全芯微電子半導(dǎo)體高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目、遼寧恩微芯片封裝測試項目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項目，日本航空電子高端電子元器件項目、露笑科技第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目和大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目迎來新進展。

天眼查顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司近日取得一項名為一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底的專利，授

業(yè)內(nèi)人士表示，預(yù)計未來兩年中國碳化硅（SiC）芯片價格將下降高達30%。

7月25日，北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊）碳化硅功率芯片IDM企業(yè)北京芯合半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱芯合半導(dǎo)體）發(fā)布自主研發(fā)生產(chǎn)

5月31日，歐盟委員會批準(zhǔn)意大利政府對意法半導(dǎo)體總計20億歐元的補貼計劃，用于一項總投資50億歐元的碳化硅微芯片制造工廠。這是