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天眼查顯示，泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年3月7

近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ

納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的溝槽輔助平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴格

近日，致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客

近期，全國建設(shè)項目環(huán)境信息公示平臺發(fā)布了河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環(huán)境保護驗收公示。該項目

天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責任公司碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件專利公布，申請公布日為2024年10月18日，申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

4月10日，意法半導(dǎo)體官網(wǎng)宣布 重塑制造布局和調(diào)整全球成本基礎(chǔ) 計劃。預(yù)計在未來3年，重點關(guān)注300mm 硅、200mm 碳化硅的先進制造

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利

4月8日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司正式向港交所遞交上市申請，中金公司為其保薦機構(gòu)，港股有望迎來一家全球碳化硅外

2025年開局，中國新能源汽車市場延續(xù)了此前的強勁勢頭。1-2月產(chǎn)銷分別完成190.3萬輛和183.5萬輛，同比增速達52%，滲透率攀升至41

4月7日，據(jù)大眾新聞報道，天岳先進位于濟南市槐蔭區(qū)的碳化硅項目即將迎來投產(chǎn)。據(jù)了解，該項目為年產(chǎn)500噸碳化硅單晶基地擴產(chǎn)能

4月8日午間，士蘭微(600460)披露公司碳化硅項目的最新進展。經(jīng)過加快建設(shè)，第Ⅱ代SiC芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能正在釋放。同時，第Ⅳ代SiC芯

4月2日下午，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團隊在徐文匯總經(jīng)理的帶領(lǐng)下，赴山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院開展碳化硅（SiC）功率器件技術(shù)交流

近日，深圳市金威源科技股份有限公司與杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司正式簽訂碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方企業(yè)負責人及相關(guān)人員出席

天岳先進攜全系12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣震撼登場。其中，12英寸碳化硅光學(xué)片更是成為展會焦點，不僅展示了天岳先進的技術(shù)實力，也為AR虛擬顯示領(lǐng)域帶來了全新的解決方案。

碳化硅作為一種高性能材料，因其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體行業(yè)中，特別是作為涂層材料時，展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。一代材料，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司申請一項名為一種在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的方法的

近日，西湖儀器成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進了碳化硅行業(yè)的降本增效。此

全球首發(fā)！天岳先進攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場SEMICON China 2025