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近期，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

寬禁帶半導(dǎo)體具有穩(wěn)定的光電特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光電探測(cè)器的理想材料。然而，基于純寬禁帶半導(dǎo)體的光電探

全文刊載于《前瞻科技》2025年第1期新材料前沿：技術(shù)創(chuàng)新與未來(lái)展望，點(diǎn)擊文末閱讀原文獲取全文。趙璐冰-副研究員-第三代半導(dǎo)體

日盲紫外探測(cè)器（200-280nm）作為國(guó)防安全與環(huán)境監(jiān)測(cè)的火眼金睛，在森林火災(zāi)預(yù)警、深空探測(cè)等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。然而，

近日，蘭州大學(xué)物理學(xué)院青年研究員張澤民，聯(lián)合李穎弢教授，中科大趙曉龍教授、龍士兵教授，在寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)領(lǐng)域取得重要

近日，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、張金風(fēng)教授研究組在超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石功率器件方向取得重要進(jìn)展。在國(guó)際知名

從蘭州大學(xué)獲悉，該校物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院聯(lián)合中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)組成的研究團(tuán)隊(duì)，在寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，成功開

香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組，在第70屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上報(bào)告了多項(xiàng)基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù).

沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室（Advanced Semiconductor Laboratory）在超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁（AlN）肖特基勢(shì)壘二極管（SBDs）性能優(yōu)化上取得重要進(jìn)展。

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所游天桂受邀將出席論壇，并帶來(lái)《基于離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)的寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)集成材料與器件》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)高技術(shù)研究發(fā)展中心，原技術(shù)總師史冬梅受邀將出席論壇，并帶來(lái)《氧化鎵和金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

【項(xiàng)目概況】超寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備采購(gòu)招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在湖北省政府采購(gòu)電子交易數(shù)據(jù)匯聚平臺(tái)（網(wǎng)址：https://czt.hube

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中心楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化鎵外延薄膜中位錯(cuò)的原子級(jí)攀移動(dòng)力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展。

近日，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室官網(wǎng)正式官宣寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室重組獲批，但目前官網(wǎng)頁(yè)面的

進(jìn)入第四季度以來(lái)，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目正開足馬力，搶抓施工

鎵仁半導(dǎo)體在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大突破

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽(yáng)投資有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開號(hào) CN 119170634 A，申請(qǐng)日期為202

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)和南京電子研究所超寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)合作，在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會(huì)上，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報(bào)告，討論超寬帶隙半導(dǎo)體的研究狀況和主要問(wèn)題，分享了實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)近來(lái)在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。