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5月23-24日， 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）在南京舉辦。

5月23日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來(lái)：突破功率極限，引領(lǐng)能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領(lǐng)域的卓越優(yōu)勢(shì)

為推進(jìn)第三代半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級(jí)轉(zhuǎn)型，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合廣東芯聚能

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會(huì)議。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）將于南京舉辦。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授楊樹將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來(lái)《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》的大會(huì)報(bào)告，

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測(cè)試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時(shí)，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來(lái)《寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)》的主題報(bào)。報(bào)告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時(shí)，西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部/教授、芯豐澤半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋慶文將受邀出席論壇，并帶來(lái)《高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將介紹包括高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進(jìn)展，討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點(diǎn)問(wèn)題，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時(shí)，西安電子科技大學(xué)教授趙勝雷將受邀出席論壇，并帶來(lái)《GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討》的主題報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江南大學(xué)教授/博導(dǎo)黃偉將受邀出席論壇，并帶來(lái)《高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究》的主題報(bào)告，將聚焦宇航電子領(lǐng)域?qū)Ω呖煽抗β势骷钠惹行枨?，分享相關(guān)最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

最新報(bào)告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時(shí)，廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)將受邀出席論壇，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)》的主題報(bào)告。